STP80NF55-06、BUK7506-55A,127、IRF3205ZPBF对比区别

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型号 STP80NF55-06 BUK7506-55A,127 IRF3205ZPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 55V 154A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailINFINEON  IRF3205ZPBF  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

通道数 1 1 -

耗散功率 300 W 300 W 170 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 170 W

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 170000 mW

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0065 Ω - 0.0065 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

阈值电压 3 V - 4 V

漏源击穿电压 55.0 V - 55 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 110A

上升时间 155 ns - 95 ns

下降时间 65 ns - 67 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 - - 170 W

输入电容 - - 3450 pF

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - 10.54 mm

宽度 4.6 mm - 4.69 mm

高度 9.15 mm - 8.77 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17