SPI11N65C3HKSA1、SPI11N65C3XKSA1对比区别

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型号 SPI11N65C3HKSA1 SPI11N65C3XKSA1

描述 TO-262 N-CH 650V 11AInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-262-3-1 TO-262-3

额定电压(DC) 650 V -

额定电流 11.0 A -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc)

输入电容 1.20 nF -

栅电荷 60.0 nC -

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11A

上升时间 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc)

额定功率(Max) - 125 W

封装 TO-262-3-1 TO-262-3

长度 - 10.36 mm

宽度 - 4.52 mm

高度 - 9.45 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅