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SD1275-01、SD1433、VHB50-28S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SD1275-01 SD1433 VHB50-28S

描述 射频与微波晶体管VHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS射频与微波晶体管UHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, STUD PACKAGE-4

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Chassis -

封装 M113 M122 -

额定电压(DC) 36.0 V 16.0 V -

额定电流 8.00 A 2.50 A -

耗散功率 70 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 16 V 16 V -

增益 9 dB 7 dB -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @250mA, 5V 10 @1A, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) 20 @250mA, 5V - -

额定功率(Max) 70 W 58 W -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

长度 24.89 mm - -

宽度 6.48 mm - -

高度 7.11 mm - -

封装 M113 M122 -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - 200℃ (TJ) -