FDP7030BL、IRF3707PBF、IRLB8721PBF对比区别

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型号 FDP7030BL IRF3707PBF IRLB8721PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP7030BL  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1.9 VTrans MOSFET N-CH 30V 62A 3Pin(3+Tab) TO-220ABINFINEON  IRLB8721PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 60.0 A 62.0 A -

额定功率 - 87 W 65 W

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 65 W 87 W 65 W

产品系列 - IRF3707 -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 62.0 A 62A

上升时间 12 ns 78.0 ns 93 ns

输入电容(Ciss) 1760pF @15V(Vds) 1990pF @15V(Vds) 1077pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 60 W 87 W -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 9 mΩ - 0.0065 Ω

阈值电压 1.9 V - 1.8 V

输入电容 1.76 nF - 1077 pF

栅电荷 17.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

下降时间 19 ns - 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 60W (Tc) - 65W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 4.83 mm - 4.83 mm

高度 9.4 mm - 9.02 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -