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SI8231AB-B-IS1R、SI8231AB-D-IS1R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI8231AB-B-IS1R SI8231AB-D-IS1R

描述 Driver 0.5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv Automotive 16Pin SOIC N T/R门驱动器 2.5 kV 5 V UVLO HS/LS isolated gate driver

数据手册 --

制造商 Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科)

分类 FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-16 SOIC-16

上升/下降时间 20ns (Max) 20ns (Max)

通道数 2 2

隔离电压 2500 Vrms 2500 Vrms

电源电压 4.5V ~ 5.5V 6.5V ~ 24V

输出电流 - 500 mA

耗散功率 - 1200 mW

上升时间 - 20 ns

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 1200 mW

封装 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free