W987D6HBGX6E、W987D6HBGX6I、W987D6HBGX7E对比区别

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型号 W987D6HBGX6E W987D6HBGX6I W987D6HBGX7E

描述 DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGASynchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, VFBGA-54DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

引脚数 54 54 54

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

供电电流 - - 70 mA

位数 16 16 16

存取时间(Max) 6ns, 5.4ns 6ns, 5.4ns 8ns, 5.4ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ -40 ℃ -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

工作温度 -25℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Not For New Designs Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99