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IDT71256L100DB、TC55257BPL-10L、CXK58257AP-10LL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71256L100DB TC55257BPL-10L CXK58257AP-10LL

描述 CMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 100ns 28Pin PDIPSRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 100ns 28Pin PDIP

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Toshiba (东芝) SONY (索尼)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 - 28 -

封装 DIP DIP DIP

长度 - 37 mm -

宽度 - 15.24 mm -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

ECCN代码 3A001 - -