SI4925DDY-T1-GE3、SI4947ADY-T1-E3对比区别

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型号 SI4925DDY-T1-GE3 SI4947ADY-T1-E3

描述 VISHAY  SI4925DDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -30 V, 24 mohm, -10 V, -3 VVISHAY  SI4947ADY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 5 W -

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.024 Ω 0.062 Ω

极性 P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 5 W 1.2 W

输入电容(Ciss) 1350pF @15V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 5 W -

漏源极电压(Vds) - -30.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - -3.00 A

上升时间 - 9 ns

热阻 - 87℃/W (RθJA)

下降时间 - 10 ns

额定功率(Max) - -

长度 5 mm 5 mm

宽度 4 mm -

高度 1.5 mm 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

产品生命周期 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 -