PBLS6001D、PBLS6001D,115、PBLS6001D/T2对比区别

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型号 PBLS6001D PBLS6001D,115 PBLS6001D/T2

描述 TSOP NPN+PNP 50V/60V 100mA/1ATSOP NPN+PNP 50V/60V 100mA/1ASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TSOP TSOP-457 -

引脚数 - 6 -

极性 NPN+PNP NPN+PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 50V, 60V 50V, 60V -

集电极最大允许电流 100mA/1A 100mA/1A -

耗散功率 - 600 mW -

额定功率(Max) - 600 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

增益带宽 - 185 MHz -

耗散功率(Max) - 600 mW -

封装 TSOP TSOP-457 -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -