IPS1011PBF、VNP14NV04-E、VNP20N07-E对比区别
型号 IPS1011PBF VNP14NV04-E VNP20N07-E
描述 Power Switch Lo Side 85A 3Pin(3+Tab) TO-220 TubeOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS VNP20N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 80 V, 50 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 25 W - 83 W
输出接口数 1 1 1
输出电流 85 A 24 A 28 A
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.035 Ω 0.05 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 70 W 83 W
阈值电压 - 2.5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 36 V 55 V 80 V
漏源击穿电压 - 40.0 V 70.0 V
连续漏极电流(Ids) - 7.00 A 10.0 A
输入电压(Max) - - 18 V
输出电流(Max) - 12 A 14 A
输入数 - 1 1
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 74000 mW 83000 mW
输入电压 4.5V ~ 5.5V - 18 V
额定电流 18 A - -
输出电压 28 V - -
钳位电压 36 V - -
下降时间 70 µs 150 ns -
工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -
电源电压 4.5V ~ 5.5V - -
电源电压(Max) 5.5 V - -
电源电压(Min) 4.5 V - -
供电电流 - 0.1 mA -
上升时间 - 350 ns -
输出电流(Min) - 12 A -
高度 9.02 mm 4.6 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.66 mm 10.4 mm -
宽度 4.82 mm 9.35 mm -
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -