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JANS1N5809、JANTXV1N5809、JANTX1N5809对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS1N5809 JANTXV1N5809 JANTX1N5809

描述 Diode Ultra Fast Recovery Rectifier 100V 6A 2Pin军事审批,效率高, 2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMPRectifier Diode, 1 Phase, 1Element, 1.7A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G112, 2Pin

数据手册 ---

制造商 Sensitron Semiconductor Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - B-Package-2 G-112

正向电压 - 875mV @4A 0.875 V

反向恢复时间 - 30 ns 30 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

正向电流 - 6000 mA -

正向电压(Max) - 875mV @4A -

正向电流(Max) - 6 A -

封装 - B-Package-2 G-112

长度 - 7.62 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free

军工级 - Yes -

ECCN代码 - EAR99 -