R1LV0108ESA-5SI#B0、R1LV0108ESA-5SI#S0、CY62128EV30LL-45ZAXI对比区别

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型号 R1LV0108ESA-5SI#B0 R1LV0108ESA-5SI#S0 CY62128EV30LL-45ZAXI

描述 SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32Pin TSOP-I T/RCYPRESS SEMICONDUCTOR  CY62128EV30LL-45ZAXI  存储芯片, SRAM, 1M, 并行口, 45NS, TSOP-32

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

引脚数 32 32 32

封装 TSOP-32 TSOP-32 sTSOP-32

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

位数 8 8 8

存取时间(Max) 55 ns 55 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

时钟频率 1 MHz - 1 MHz

频率 - - 45 GHz

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - - 16 mA

针脚数 - - 32

存取时间 - - 45 ns

内存容量 - - 125000 B

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.2 V

封装 TSOP-32 TSOP-32 sTSOP-32

长度 11.9 mm - 11.9 mm

宽度 8.1 mm - 8.1 mm

高度 1 mm - 1.05 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free PB free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99