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HF250-50、SD1728、MS1004对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HF250-50 SD1728 MS1004

描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.55INCH, FM-4射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS10安培肖特基势垒整流器 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

数据手册 ---

制造商 Advanced Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Chassis

引脚数 - 5 -

封装 - M-177 TO-220

额定电压(DC) - 110 V -

额定电流 - 40.0 A -

极性 - NPN -

耗散功率 - 330 W -

输出功率 - 200 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 55 V 55 V

增益 - 15dB ~ 17dB 14.5 dB

最小电流放大倍数(hFE) - 23 @10A, 6V 15 @10A, 6V

额定功率(Max) - 330 W 330 W

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 330000 mW -

正向电压 - - 0.65 V

正向电流 - - 10000 mA

正向电流(Max) - - 10000 mA

封装 - M-177 TO-220

高度 - - 8.2 mm

材质 - Silicon -

工作温度 - 200℃ (TJ) 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -