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BCR108SH6327XTSA1、BCR108SH6433XTMA1、UMH2N-TP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR108SH6327XTSA1 BCR108SH6433XTMA1 UMH2N-TP

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3SOT-363 NPN 50V 100mA2个NPN-预偏置 100mA 50V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 TSSOP-6

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.25 W 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 70 @5mA, 5V 70 @5mA, 5V 68 @5mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

增益带宽 170 MHz 170 MHz 250 MHz

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 150 mW

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 TSSOP-6

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.8 mm - -

产品生命周期 Last Time Buy Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -