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IS61NLP102418-200B3I、IS61NLP102418-200B3LI、4182对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61NLP102418-200B3I IS61NLP102418-200B3LI 4182

描述 SRAM Chip Sync Dual 3.3V 18M-Bit 1M x 18 3.1ns 165Pin FBGA静态随机存取存储器 18M (1Mx18) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3vZBT SRAM, 1MX18, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TFBGA-165

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TBGA BGA-165 TBGA

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 165 -

封装 TBGA BGA-165 TBGA

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead free 无铅 -

供电电流 - 475 mA -

位数 - 18 -

存取时间 - 3.1 ns -

存取时间(Max) - 3.1 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 3.135V ~ 3.465V -