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BSZ110N06NS3G、NTTFS5820NLTAG、NTTFS5820NLTWG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSZ110N06NS3G NTTFS5820NLTAG NTTFS5820NLTWG

描述 60V,11mΩ,20A,N沟道功率MOSFETON SEMICONDUCTOR  NTTFS5820NLTAG  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 60 V, 0.0101 ohm, 10 V, 1.5 VMOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 - WDFN-8 WDFN-8

通道数 - - 1

漏源极电阻 - 0.0101 Ω 10.1 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 - 33 W 2.7 W

阈值电压 - 1.5 V 1.5V ~ 2.3V

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60 V

连续漏极电流(Ids) - 11A 11A

上升时间 - 28 ns 28 ns

输入电容(Ciss) - 1462pF @25V(Vds) 1462pF @25V(Vds)

下降时间 - 22 ns 22 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.7W (Ta), 33W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc)

针脚数 - 8 -

输入电容 - 1462 pF -

额定功率(Max) - 2.7 W -

长度 - 3.15 mm 3.15 mm

宽度 - 3.15 mm 3.15 mm

高度 - 0.8 mm 0.8 mm

封装 - WDFN-8 WDFN-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -