FQA7N80_F109、FQA7N80C_F109、IXFI7N80P对比区别

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型号 FQA7N80_F109 FQA7N80C_F109 IXFI7N80P

描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETQFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TO-263 N-CH 800V 7A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-262-3

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 198W (Tc) 198 W 200W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 7.2A 7A 7A

输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds) 1890pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 198W (Tc) 198 W 200W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 1.9 Ω -

漏源击穿电压 - 800 V -

上升时间 - 100 ns -

额定功率(Max) - 198 W -

下降时间 - 60 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-262-3

长度 - 15.8 mm -

宽度 - 5 mm -

高度 - 18.9 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -