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HM62256LP-10、TC55257CPL-10、M5M5256BP-10L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HM62256LP-10 TC55257CPL-10 M5M5256BP-10L

描述 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 100ns 28Pin PDIPSILICON GATE CMOS 32,768 WORD x 8Bit STATIC RAM262144Bit (32768-WORD BY 8Bit) CMOS STATIC RAM

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Toshiba (东芝) Mitsubishi (三菱)

分类 RAM芯片主动器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

封装 DIP DIP DIP

电源电压 5 V - -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -