IRF6217、IRF6217TRPBF对比区别

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型号 IRF6217 IRF6217TRPBF

描述 SOIC P-CH 150V 0.7AP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SO-8 SOIC-8

额定功率 - 2.5 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 2.4 Ω

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 2.50 W 2.5 W

阈值电压 - 20 V

输入电容 - 150 pF

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) -700 mA 0.7A

上升时间 7.2 ns 7.2 ns

输入电容(Ciss) - 150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 16 ns 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta)

产品系列 IRF6217 -

漏源击穿电压 -150 V -

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

封装 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free