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IXFK170N10P、IXTQ170N10P、IXTK170N10P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK170N10P IXTQ170N10P IXTK170N10P

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3Pin(3+Tab) TO-264AAIXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ170N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 VTO-264 N-CH 100V 170A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-264-3

通道数 1 - -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 714 W 714 W 715W (Tc)

阈值电压 5 V 5 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 714 W - -

下降时间 33 ns 33 ns 33 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 715W (Tc) 715W (Tc) 715W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 9 mΩ -

连续漏极电流(Ids) - 170 A 170A

反向恢复时间 - 120 ns -

长度 20.29 mm 15.8 mm -

宽度 5.31 mm 4.9 mm -

高度 26.59 mm 20.3 mm -

封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -