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BU323AP、BU931P、BU941P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU323AP BU931P BU941P

描述 达林顿NPN硅功率晶体管400伏125瓦 DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS 125 WATTSNPN 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。高压点火线圈驱动NPN达林顿功率晶体管 High voltage ignition coil driver NPN power Darlington transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-218 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 400 V 400 V

额定电流 - 15.0 A 15.0 A

额定功率 - - 150 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 135 W 155 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 10A 15A 15A

最小电流放大倍数(hFE) - 300 @5A, 10V 300 @5A, 10V

额定功率(Max) - 135 W 155 W

直流电流增益(hFE) - 300 300

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 135000 mW 155000 mW

针脚数 - 3 -

封装 TO-218 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 20.15 mm -

工作温度 - 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99