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71V416S10BEG、IDT71V416S10BEG、CY7C1041DV33-10BVI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V416S10BEG IDT71V416S10BEG CY7C1041DV33-10BVI

描述 Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9MM, BGA-483.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 256K ×16位) 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 48 - 48

封装 CABGA-48 TFBGA-48 VFBGA-48

频率 - - 100 MHz

时钟频率 - - 100 MHz

位数 - - 16

存取时间 10 ns - 10 ns

存取时间(Max) 10 ns - 10 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3.3 V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

供电电流 200 mA - -

长度 9 mm - 8 mm

宽度 9 mm - 6 mm

高度 1.2 mm - 0.21 mm

封装 CABGA-48 TFBGA-48 VFBGA-48

厚度 1.20 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -