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BC337G、BC337RL1G、BC33740BU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC337G BC337RL1G BC33740BU

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC337G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 630 hFEON SEMICONDUCTOR  BC337RL1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC33740BU  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 170 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

频率 210 MHz 210 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 800 mA 800 mA 800 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

增益频宽积 210 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 630 100 170

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 630

长度 5.2 mm 5.2 mm 4.58 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 3.86 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 4.58 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99