IXFT30N50、IXFT30N50Q、APT5017SVRG对比区别

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型号 IXFT30N50 IXFT30N50Q APT5017SVRG

描述 TO-268 N-CH 500V 30ATrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(2+Tab) D3PAK

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268

引脚数 - - 3

通道数 1 - -

漏源极电阻 160 mΩ - -

极性 N-CH - -

耗散功率 360 W 360W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 30A - 30.0 A

上升时间 42 ns - 14 ns

输入电容(Ciss) 5700pF @25V(Vds) 4925pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)

下降时间 26 ns - 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 370000 mW

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 30.0 A

输入电容 - - 5.28 nF

栅电荷 - - 300 nC

长度 16.05 mm - -

宽度 14 mm - -

高度 5.1 mm - -

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free