BUK7514-60E、STP60NF06L、IRFZ44VZPBF对比区别

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型号 BUK7514-60E STP60NF06L IRFZ44VZPBF

描述 NXP  BUK7514-60E  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINTERNATIONAL RECTIFIER  IRFZ44VZPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 57A TO-220AB

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 60.0 A 57.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0096 Ω 0.014 Ω 12 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 96 W 110 W 92 W

产品系列 - - IRFZ44VZ

阈值电压 3 V 1 V 4 V

输入电容 - - 1690pF @25V

栅电荷 - - 65.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 58A 60.0 A 57.0 A

上升时间 - 220 ns 62.0 ns

输入电容(Ciss) - 2000pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W 92 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

下降时间 - 30 ns -

耗散功率(Max) - 110W (Tc) -

长度 - 10.4 mm 10.66 mm

高度 - 9.15 mm 16.51 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.6 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Rail, Tube

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -