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UZ5836、UZ836、UZ836HR2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UZ5836 UZ836 UZ836HR2

描述 功率齐纳二极管 POWER ZENERS36V 3WZener Diode, 36V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 Axial A, Axial -

容差 ±10 % ±10 % -

耗散功率 5000 mW 3 W -

测试电流 30 mA 20 mA -

稳压值 36 V 36 V -

额定功率(Max) 5 W 3 W -

耗散功率(Max) - 3000 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 Axial A, Axial -

长度 4.4 mm - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -