AUIRF6215S、IRF6215SPBF、IRF6215S对比区别
型号 AUIRF6215S IRF6215SPBF IRF6215S
描述 D2PAK P-CH 150V 13AP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK P-CH 150V 13A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 110 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 290 mΩ 0.29 Ω 20.0 mΩ (max)
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 3.8 W 110 W 3.8W (Ta), 110W (Tc)
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 13A 13A 13.0 A
上升时间 36 ns 36 ns 36 ns
输入电容(Ciss) 860pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)
下降时间 37 ns 37 ns 37 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
额定电压(DC) - - -150 V
额定电流 - - -13.0 A
产品系列 - - IRF6215S
漏源击穿电压 150 V - -150 V
高度 2.3 mm 4.83 mm -
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 6.5 mm - -
宽度 6.22 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs End of Life
包装方式 Tube Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -