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IRFB4410PBF、IRFB4410ZPBF、PSMN9R5-100PS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB4410PBF IRFB4410ZPBF PSMN9R5-100PS

描述 MOSFET,Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRFB4410ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VNXP  PSMN9R5-100PS  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 100 V, 8.16 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定功率 250 W 230 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.008 Ω 0.008 Ω 0.00816 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 250 W 230 W 211 W

阈值电压 4 V 4 V 3 V

输入电容 - 4820 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 88A 97A -

上升时间 80 ns 52 ns -

输入电容(Ciss) 5150pF @50V(Vds) 4820pF @50V(Vds) 4454pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 230 W 211 W

下降时间 50 ns 57 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 230000 mW 211 W

长度 10.66 mm 10.66 mm 10.3 mm

宽度 4.82 mm 4.82 mm 4.7 mm

高度 9.02 mm 9.02 mm 16 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -