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DHG30I600HA、VS-ETU3006FP-M3、BYT30PI-600对比区别

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型号 DHG30I600HA VS-ETU3006FP-M3 BYT30PI-600

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  DHG30I600HA  快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 30 A, 2.36 V, 35 ns, 200 AVISHAY  VS-ETU3006FP-M3  快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 30 A, 2 V, 45 ns, 200 A30A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 功率二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 TO-3-3 TO-220-3 -

正向电压 2.36V @30A 2V @30A -

反向恢复时间 35 ns 45 ns -

正向电流 30 A 30 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 200 A 200 A -

正向电压(Max) 2.36 V 2 V -

正向电流(Max) 30 A 30 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

工作结温 - -65℃ ~ 175℃ -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 180000 mW - -

长度 16.26 mm 10.36 mm -

宽度 5.3 mm 4.93 mm -

高度 21.46 mm 16.07 mm -

封装 TO-3-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Each -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -