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IPS13N03LA、IPS13N03LAG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS13N03LA IPS13N03LAG

描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-251 TO-251

额定电压(DC) - 25.0 V

额定电流 - 30.0 A

输入电容 - 1.04 nF

栅电荷 - 8.30 nC

漏源极电压(Vds) 25 V 25.0 V

连续漏极电流(Ids) 30A 30.0 A

极性 N-CH -

封装 TO-251 TO-251

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free