CY7C1313KV18-250BZC、CY7C1313KV18-250BZCT、CY7C1313KV18-250BZXI对比区别

高亮显示差异参数

型号 CY7C1313KV18-250BZC CY7C1313KV18-250BZCT CY7C1313KV18-250BZXI

描述 CY7C1313KV18 系列 18Mb (1M x 18) QDR® II SRAM 四字突发架构SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165Pin FBGA T/R18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 - - 440 mA

时钟频率 250 MHz - 250 MHz

位数 18 18 18

存取时间 - 0.45 ns 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V 1.9 V

电源电压(Min) - 1.7 V 1.7 V

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991