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JAN1N5822US、JANTX1N5822US、1N5822US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5822US JANTX1N5822US 1N5822US

描述 Diode Schottky 40V 3A 2Pin E-MELFRectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon,Rectifier Diode,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Semtech Corporation Semtech Corporation

分类 功率二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 2 - -

封装 B-SQ-MELF-2 - -

正向电压 0.7 V - -

正向电流 3000 mA - -

正向电流(Max) 3000 mA - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 B-SQ-MELF-2 - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant