IXFP130N10T2、IXTP220N075T、IXFP130N10T对比区别

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型号 IXFP130N10T2 IXTP220N075T IXFP130N10T

描述 N沟道 100V 130ATO-220 N-CH 75V 220ATO-220 N-CH 100V 130A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

漏源极电阻 9.1 mΩ 4.50 mΩ 9.1 mΩ

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 360 W 480W (Tc) 360W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 75 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 75.0 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 220 A 130A

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 7700pF @25V(Vds) 5080pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 480W (Tc) 360W (Tc)

阈值电压 4.5 V - -

上升时间 38 ns - -

下降时间 25 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.66 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 16 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free