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BSH203,215、FDV304P、BSH203对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSH203,215 FDV304P BSH203

描述 NXP  BSH203,215  晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -30 V, 0.66 ohm, -4.5 V, -680 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV304P  晶体管, MOSFET, P沟道, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mVNXP  BSH203  晶体管, MOSFET, P沟道, -470 mA, -30 V, 0.66 ohm, -4.5 V, -680 mV

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.66 Ω 1.22 Ω 0.66 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 417 mW 350 mW 417 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 30 V

连续漏极电流(Ids) -470 mA 460 mA 0.47A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - -25.0 V -

额定电流 - -460 mA -

额定功率 - 350 mW -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - -25.0 V -

上升时间 4.5 ns 8 ns -

输入电容(Ciss) 110pF @24V(Vds) 63pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 417 mW 350 mW -

下降时间 20 ns 35 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 417mW (Ta) 350mW (Ta) -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 3 mm 2.92 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm -

高度 1 mm 0.93 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -