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JAN1N935B-1、JANTXV1N935B-1、1N935B-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N935B-1 JANTXV1N935B-1 1N935B-1

描述 DO-35 9V 0.5W(1/2W)DO-35 9V 0.5W(1/2W)DO-7 9V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-7

引脚数 2 2 -

耗散功率 500 mW 0.5 W 500 mW

稳压值 9 V 9 V 9 V

容差 ±5 % ±5 % -

测试电流 7.5 mA 7.5 mA -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 DO-7

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -