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BYT51K-TR、1N4006GP-E3/54、1N4006GPHE3/73对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BYT51K-TR 1N4006GP-E3/54 1N4006GPHE3/73

描述 Diode Switching 800V 1.5A 2Pin SOD-57 T/R1N4006 Series 800V 1A Through Hole Glass Passivated Junction Rectifier - DO-41整流器 RECOMMENDED ALT 78-BYT51K-TAP

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 功率二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 SOD-57 DO-41-2 DO-41-2

正向电压 1.1V @1A 1.1 V 1.1V @1A

反向恢复时间 4 µs 2000 ns 2 µs

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃

正向电流 - 1 A -

额定电流 1.50 A - -

正向电压(Max) 1.1V @1A - -

长度 - 5.2 mm 5.2 mm

宽度 - 2.7 mm 2.7 mm

高度 - 2.7 mm 2.7 mm

封装 SOD-57 DO-41-2 DO-41-2

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -