SMBJ11D-M3/H、SMBJ11D-M3/I对比区别

高亮显示差异参数

型号 SMBJ11D-M3/H SMBJ11D-M3/I

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 11V 600W UniDir TransZorb 3.5% TolDiode TVS Single Uni-Dir 11V 600W 2Pin SMB T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA-2 DO-214AA

脉冲峰值功率 600 W 600 W

最小反向击穿电压 12.4 V 12.4 V

工作电压 11 V -

击穿电压 13.3 V -

耗散功率 1 W -

钳位电压 17.9 V -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 DO-214AA-2 DO-214AA

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅