IRF1010EZ、SUB75N08-10-E3、IRF1010EZPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF1010EZ SUB75N08-10-E3 IRF1010EZPBF

描述 TO-220AB N-CH 60V 84AMOSFET 75V 75A 187WINFINEON  IRF1010EZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

漏源极电阻 - 21.0 mΩ 0.0085 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 140W (Tc) 3.70 W 140 W

漏源极电压(Vds) 60 V 75.0 V 60 V

漏源击穿电压 60.0V (min) 75.0 V 60 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75.0 A 84A

额定功率 - - 140 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 2810 pF

上升时间 90 ns - 90 ns

输入电容(Ciss) 2810pF @25V(Vds) - 2810pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 140 W

下降时间 54 ns - 54 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) - 140W (Tc)

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

产品系列 IRF1010EZ - -

长度 - 10.67 mm 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm 4.83 mm

高度 - 4.83 mm 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)