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IS43R32800D-5BI、LH5、IS43R32800D-5BL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43R32800D-5BI LH5 IS43R32800D-5BL

描述 DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 2.5V 144Pin LFBGA8MX32 DDR DRAM, 0.65ns, PBGA144, ROHS COMPLIANT, BGA-144DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 2.5V 144Pin LFBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) ProMOS (茂德) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片

基础参数对比

引脚数 144 - 144

封装 BGA LFBGA LFBGA-144

安装方式 - - Surface Mount

位数 32 - 32

存取时间(Max) 0.7 ns - 0.7 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

供电电流 - - 480 mA

存取时间 - - 700 ps

电源电压 - - 2.3V ~ 2.7V

封装 BGA LFBGA LFBGA-144

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - 无铅

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)