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MSMLJ18ATR、MSMLJ18AE3/TR、MSMLJ18AE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSMLJ18ATR MSMLJ18AE3/TR MSMLJ18AE3

描述 DO-214AB 18V 3000WDiode TVS Single Uni-Dir 18V 3kW 2Pin DO-214AB T/RDO-214AB 18V 3000W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管

基础参数对比

引脚数 - 2 2

封装 DO-214AB SMC DO-214AB

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

钳位电压 - 29.2 V 29.2 V

测试电流 - 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 3000 W 3000 W 3000 W

击穿电压 - 20 V 20 V

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率 - - 3 kW

最大反向电压(Vrrm) 18V - 18V

最小反向击穿电压 - - 20 V

封装 DO-214AB SMC DO-214AB

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bag

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)