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MT48H16M32LFB5-6 IT:C、MT48H16M32LFB5-75 IT:C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT48H16M32LFB5-6 IT:C MT48H16M32LFB5-75 IT:C

描述 DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90Pin VFBGADRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90Pin VFBGA

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 VFBGA-90 VFBGA-90

安装方式 Surface Mount -

引脚数 90 -

工作电压 1.80 V 1.80 V

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

供电电流 105 mA -

位数 32 -

存取时间 5 ns -

存取时间(Max) 5ns, 8ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

封装 VFBGA-90 VFBGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -