IRLU014PBF、RFD14N05L、IRLU024NPBF对比区别
型号 IRLU014PBF RFD14N05L IRLU024NPBF
描述 VISHAY IRLU014PBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 7.7A, IPAKFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05L 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 VN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-251 TO-251-3 TO-251-3
额定电压(DC) 60.0 V 50.0 V -
额定电流 7.70 A 14.0 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.2 Ω 100 mΩ 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 48 W 46 W
阈值电压 2 V 2 V 2 V
输入电容 400pF @25V - 480 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 50 V 55 V
漏源击穿电压 60 V 50.0 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 7.70 A 14.0 A 17A
上升时间 110 ns 24 ns 74 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)
下降时间 26 ns 16 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 48 W 45W (Tc)
栅源击穿电压 - ±10.0 V -
额定功率(Max) - 48 W 45 W
额定功率 - - 38 W
长度 6.73 mm 6.8 mm 6.73 mm
宽度 2.39 mm 2.5 mm 2.39 mm
高度 6.22 mm 6.3 mm 6.22 mm
封装 TO-251 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 - Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -