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IRFS4115PBF、SUM75N15-18P-E3、IRFS4115TRLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS4115PBF SUM75N15-18P-E3 IRFS4115TRLPBF

描述 INFINEON  IRFS4115PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 150 V, 0.0103 ohm, 20 V, 5 VN沟道150 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 150-V (D-S) MOSFETHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

额定功率 375 W - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0103 Ω 0.018 Ω 0.0103 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 312.5 W 375 W

阈值电压 5 V 4.5 V 5 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 195A 75.0 A 195A

上升时间 73 ns 10 ns 73 ns

输入电容(Ciss) 5270pF @50V(Vds) - 5270pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 375 W - 375 W

下降时间 39 ns 8 ns 39 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 375000 mW - 375W (Tc)

输入电容 - - 5270 pF

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 9.65 mm - 11.3 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs - Active

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99