IPB70N10S312ATMA1、IPP70N10S312AKSA1对比区别

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型号 IPB70N10S312ATMA1 IPP70N10S312AKSA1

描述 INFINEON  IPB70N10S312ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 VInfineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N10S312AKSA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-263-3-2 TO-220-3-1

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.0094 Ω 0.0097 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 125 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 70A 70A

上升时间 8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 3350pF @25V(Vds) 3350pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125000 mW 125W (Tc)

封装 TO-263-3-2 TO-220-3-1

长度 - 10 mm

宽度 - 4.4 mm

高度 - 9.25 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17