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2N7002KW、BSS138PW,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002KW BSS138PW,115

描述 ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002KW, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS138PW,115, 320 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 1.6 Ω 0.9 Ω

耗散功率 0.3 W 0.31 W

阈值电压 2.1 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 260 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 260mW (Ta), 830mW (Tc)

极性 - -

输入电容 - 38 pF

上升时间 - 3 ns

下降时间 - 4 ns

长度 2.92 mm 2.2 mm

宽度 1.3 mm 1.35 mm

高度 1.2 mm 1 mm

封装 SOT-323-3 SOT-323-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -