MRFE6P3300HR3、MRFE6P9220HR3、MRFE6P3300HR5对比区别

高亮显示差异参数

型号 MRFE6P3300HR3 MRFE6P9220HR3 MRFE6P3300HR5

描述 RF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 865-900MHz, 47W Avg., 28VFET RF 66V 863MHz NI-860C3

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管晶体管

引脚数 5 5 5

封装 NI-860C3 NI-860C3 NI-860C3

安装方式 Screw Screw -

频率 857MHz ~ 863MHz 880 MHz 857MHz ~ 863MHz

输出功率 270 W 47 W 270 W

增益 20.4 dB 20 dB 20.4 dB

测试电流 1.6 A 1.6 A 1.6 A

输入电容(Ciss) 106pF @32V(Vds) 1060pF @28V(Vds) 106pF @32V(Vds)

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 66 V 66 V 66 V

额定电流 10 µA 10 µA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

电源电压 32 V - -

封装 NI-860C3 NI-860C3 NI-860C3

高度 - 5.69 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 225℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -