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MCP622-E/SN、MCP662T-E/MS、TSV852IDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP622-E/SN MCP662T-E/MS TSV852IDT

描述 MICROCHIP  MCP622-E/SN  运算放大器, 双路, AEC-Q100, 20 MHz, 2个放大器, 10 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8Pin MSOP T/RTSV85x、TSV85xA、低功率、高精度、通用运算放大器TSV850、TSV851(单)、TSV852、TSV853(双)和 TSV854、TSV855(四路)运算放大器可提供低电压操作,带轨对轨输出摆幅。低功耗:最大 180 μA (5 V) 关闭模式:最大 50 nA,仅适合 TSV850(A)、TSV853(A)、TSV855(A) 低偏置电压:最大 0.8 mV (25°C) 扩展温度范围:-40°C 至 125°C 电源操作范围 2.3 V 至 5.5 V 益带宽产品:1.3 MHz 汽车资格 ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 MSOP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 2.50V (min) 2.50V (min) -

工作电压 2.5V ~ 5.5V - -

输出电流 130 mA ≤150 mA 70 mA

供电电流 2.5 mA 6 mA 130 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - -

共模抑制比 84 dB 66 dB 75 dB

静态电流 3.6 mA - -

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

带宽 20 MHz - 1.3 MHz

转换速率 10.0 V/μs - 700 mV/μs

增益频宽积 20 MHz 60 MHz 1.3 MHz

输入补偿电压 200 µV 1.8 mV 4 mV

输入偏置电流 5 pA 6 pA 27 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

增益带宽 20 MHz - 1.3 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 64 dB 72 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V - 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5V ~ 6V 5.5 V -

电源电压(Min) - 2.2 V -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.25 mm - 1.25 mm

封装 SOIC-8 MSOP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99