AUIRF1324S、AUIRF1324STRL、IRF1324STRL-7PP对比区别
型号 AUIRF1324S AUIRF1324STRL IRF1324STRL-7PP
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 24V 340AD2PAK N-CH 24V 429A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 7
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-7
额定功率 300 W 300 W -
通道数 1 - -
漏源极电阻 0.0013 Ω - -
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 300 W
阈值电压 2 V - -
漏源极电压(Vds) 24 V 24 V 24 V
连续漏极电流(Ids) 340A 340A 429A
上升时间 190 ns 190 ns 240 ns
输入电容(Ciss) 7590pF @24V(Vds) 7590pF @24V(Vds) 7700pF @19V(Vds)
下降时间 120 ns 120 ns 93 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW 300W (Tc) 300W (Tc)
额定功率(Max) - - 300 W
长度 10.67 mm 6.5 mm -
宽度 9.65 mm 6.22 mm -
高度 4.83 mm 2.3 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-7
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -