1N5521B、JAN1N5521B、NTE5008A对比区别

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型号 1N5521B JAN1N5521B NTE5008A

描述 DO-35 4.3V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWDO-35 4.3V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 分立器件

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 - - 2

耗散功率 400 mW 500 mW 500 mW

稳压值 4.3 V 4.3 V 4.3 V

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃

RoHS标准 - - RoHS Compliant

HTS代码 - - 85411000506