SIHP7N60E-GE3、SPU07N60C3、SIHP7N60E-E3对比区别

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型号 SIHP7N60E-GE3 SPU07N60C3 SIHP7N60E-E3

描述 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220ABINFINEON  SPU07N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VMOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

通道数 - 1 1

耗散功率 78 W 83 W 78 W

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

上升时间 - 3.5 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 680pF @100V(Vds) 790pF @25V(Vds) 680pF @100V(Vds)

下降时间 - 7 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 78W (Tc) 83W (Tc) 78W (Tc)

漏源极电阻 0.5 Ω 0.54 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 2 V 3 V -

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 7.30 A -

针脚数 - 3 -

输入电容 - 790 pF -

栅电荷 - 27.0 nC -

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 7.30 A -

额定功率(Max) - 83 W -

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 2.38 mm -

高度 - 6.22 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -